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當前位置:首頁开云体育体验半導體(ti) 專(zhuan) 用檢測儀(yi) 器設備RESmap 低電阻率測試儀(yi) RESmap-1低電阻率測試儀(yi) (RESmap )

低電阻率測試儀(RESmap )
產品簡介

電阻率測試儀(RESmap )在對低電阻率晶錠和晶圓進行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重複性 Si | Ge | 化合物半導體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]

產品型號:RESmap-1
更新時間:2025-03-19
廠商性質:代理商
訪問量:1737
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電阻率測試儀(yi) (RESmap )在對低電阻率晶錠和晶圓進行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重複性Si | Ge | 化合物半導體(ti) | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]    

       

 

電阻率測試儀(yi) (RESmap )特征

 

電阻率的非接觸式測量和成像 高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化
信號靈敏度 基於線圈頻率讀數的高信號靈敏度,可實現準確可靠的電阻率測量,並具有高再現性和可重複性
測量時間 測量時間 < 3 s,測量之間時間 < 1 s
測量速度 200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s,9個點
多點測量及測繪顯示 不超過9999個點
材料外形尺寸 平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜
X-Y位置分辨率 ≥ 0.1mm
邊緣扣除 5 mm
可靠性 模塊化、緊湊的台式儀器設計,可靠性高,正常運行時間 > 99%
電阻率測量的重複性 ≤ 0.15%,基於使用ANOVA   Gage R&R方法對材料係統分析(MSA)

 

 

 











更多技術規格和配置選項:  


為(wei) 自動化流程做準備

可用於(yu) 不同的平台

測量方法符合

SEMI MF673標準

數據及數據有效性檢查

使用NIST標準

校準精度

±1%

集成紅外溫度傳(chuan) 感器 ±0.1°

允許報告標準溫度下的電阻率,(與(yu) 樣品的實際溫度不同)

樣品厚度校準

對於(yu) 高頻信號穿透深度大於(yu) 穿透深度的樣品

電力要求

100-250 VAC, 5 A

尺寸

465 ´ 550 ´ 600 mm

軟件控製

配備Window10或新版本的標準PC,2個(ge) 以太網端口

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

用戶友好且*的操作軟件:        

◇  電阻率測量配方        

◇  導出/導入功能和原始數據訪問;        

◇  多級用戶賬戶管理

◇  所有執行的測量概覽

◇  繪圖選項(線、十字、星、完整地圖、地形、用戶定義(yi) 圖案)

◇  分析功能包;統計、方差分析、溫度校正函數和數據庫

◇  遠程訪問;基於(yu) 互聯網的係統允許在世界任何地方進行遠程操作和技術支持

 

    電渦流傳(chuan) 感器的測量原理


中心處可實現較大的準確性和精確度




4H-SiC晶圓整個(ge) 生長麵區域的電阻率變化測量

 

矽晶圓電阻率變化測量 — 麵掃描、分布和線掃描  

 

 

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